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電荷耦合器件(ccd)光電響應(yīng)特性研究的有關(guān)文章大家有么？

電荷耦合器件(ccd)光電響應(yīng)特性研究Method of calibrating CCD optics-electron characteristic最近要寫點(diǎn)論文。但是找不到相關(guān)的文章，有的大家借我參考哈！謝謝: 問提問者：網(wǎng)友 | 2017-08-12

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由時(shí)鐘脈沖電壓來產(chǎn)生和控制半導(dǎo)體勢阱的變化，實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)和傳遞電荷信息的固態(tài)電子器件。實(shí)際上電荷耦合器件 (CCD)是一種用電荷量來表示不同狀態(tài)的動(dòng)態(tài)移位寄存器。　　1969年，美國貝爾實(shí)驗(yàn)室的W.S.博伊爾和G.E.史密斯在探索磁泡器件的電模擬過程中，產(chǎn)生了電荷耦合器件的原理設(shè)想，并在實(shí)驗(yàn)中得到驗(yàn)證。他們提出，緊密排列在半導(dǎo)體絕緣表面上的電容器，可用來儲(chǔ)存和轉(zhuǎn)移電荷。初期的CCD存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)移信號(hào)電荷的勢阱都位于硅-二氧化硅界面處,即所謂表面溝道CCD。1972年D.康首先設(shè)想了多數(shù)載流子CCD形式,在此基礎(chǔ)上人們研制出體溝道CCD和“蠕動(dòng)”型CCD的新結(jié)構(gòu),有效地改善了CCD的性能。1973年美國仙童公司制成CCD攝像傳感器，CCD遂從實(shí)驗(yàn)室進(jìn)入工業(yè)生產(chǎn)的實(shí)用階段。　　CCD的雛形是在N型或 P型硅襯底上生長一層二氧化硅薄層，再在二氧化硅層上淀積并光刻腐蝕出金屬電極，這些規(guī)則排列的金屬-氧化物-半導(dǎo)體電容器陣列和適當(dāng)?shù)妮斎搿⑤敵鲭娐肪蜆?gòu)成基本的 CCD移位寄存器。對(duì)金屬柵電極施加時(shí)鐘脈沖，在對(duì)應(yīng)柵電極下的半導(dǎo)體內(nèi)就形成可儲(chǔ)存少數(shù)載流子的勢阱?？捎霉庾⑷牖螂娮⑷氲姆椒▽⑿盘?hào)電荷輸入勢阱。然后周期性地改變時(shí)鐘脈沖的相位和幅度，勢阱深度則隨時(shí)間相應(yīng)地變化，從而使注入的信號(hào)電荷在半導(dǎo)體內(nèi)作定向傳輸。CCD 輸出是通過反相偏置PN結(jié)收集電荷，然后放大、復(fù)位，以離散信號(hào)輸出。　　電荷轉(zhuǎn)移效率是 CCD最重要的性能參數(shù)之一，用每次轉(zhuǎn)移時(shí)被轉(zhuǎn)移的電荷量和總電荷量的百分比表示。轉(zhuǎn)移效率限制了CCD的最大轉(zhuǎn)移級(jí)數(shù)。　　體溝道CCD的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)理和表面溝道CCD略有不同。體溝道CCD又稱為埋溝CCD。所謂體溝道即用來存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)移信號(hào)電荷的溝道是在離開半導(dǎo)體表面有一定距離的體內(nèi)形成。體溝道 CCD的時(shí)鐘頻率可高達(dá)幾百兆赫，而通常的表面溝道CCD只幾兆赫。　　固體成像、信號(hào)處理和大容量存儲(chǔ)器是 CCD的三大主要用途。各種線陣、面陣像感器已成功地用于天文、遙感、傳真、卡片閱讀、光測試和電視攝像等領(lǐng)域，微光CCD和紅外CCD在航遙空感、熱成像等軍事應(yīng)用中顯示出很大的作用。CCD 信號(hào)處理兼有數(shù)字和模擬兩種信號(hào)處理技術(shù)的長處，在中等精度的雷達(dá)和通信系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。CCD還可用作大容量串行存儲(chǔ)器,其存取時(shí)間、系統(tǒng)容量和制造成本都介于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和磁盤、磁鼓存儲(chǔ)器之間。　　中國于1975年研制出32位 CCD移位寄存器。中國的CCD研制工作主要集中于 CCD成像和信號(hào)處理。CCD攝像器在航空攝像、遙控、工業(yè)自動(dòng)化等部門已獲應(yīng)用。CCD模擬延遲線和抽頭延遲線在雷達(dá)和通信設(shè)備更新中發(fā)揮了重要作用。: 回答者：網(wǎng)友

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